TSMC hoàn thành nhà máy sản xuất node bán dẫn 3 nm thế hệ tiếp theo, sản xuất hàng loạt vào năm 2022.

Năm 1965, Moore đã tuyên bố rằng số lượng bóng bán dẫn có thể đặt trên mỗi vi mạch  sẽ tăng gấp đôi sau mỗi hai năm. Tuy vậy, định luật vẫn thường thách thức những người hoài nghi, mang lại lợi ích cho chúng ta khi được sử dụng những thiết bị điện tử tiêu dùng nhỏ và mạnh mẽ. Tuy nhiên, cuối cùng, các dấu hiệu đang dồn tích lại, cho thấy rằng định luật đang dần đuối sức. Ngày nay,  việc tăng gấp đôi số lượng bóng bán dẫn trên chip silicon gần như xảy ra sau mỗi 18 tháng, thay vì sau hai năm.

TSMC, một trong những nhà sản xuất bán dẫn “số má” trên thế giới luôn thích thú với việc tuân thủ theo định luật Moore. Trong một động thái mới nhất, tại Hội nghị chuyên đề công nghệ hàng năm của TSMC, nhà sản xuất chất bán dẫn Đài Loan  đã trình bày chi tiết các đặc điểm của node tiến trình 3nm trong tương lai cũng như đưa ra lộ trình cho các sản phẩm kế nhiệm 5nm dưới dạng node tiến trình N5P và N4. Trái ngược với node tiến trình 3nm của Samsung sử dụng cấu trúc bóng bán dẫn GAA (Gate-all-around) , TSMC thay vào đó sẽ gắn bó với bóng bán dẫn FinFET và dựa vào “các tính năng cải tiến” để cho phép chúng đạt được quy mô toàn node mà N3 hứa hẹn.

TSMC hoàn thành nhà máy sản xuất node bán dẫn 3 nm thế hệ tiếp theo, sản xuất hàng loạt vào năm 2022.